CG2H80120D-GP4
Περιγραφή:
120W GAN HEMT 28V 8.0GHz DIE, G2
Κατηγορία:
Ολοκληρωμένο κύκλωμα Tj
In-stock:
σε αποθέματα
Μέθοδος πληρωμής:
Λ/Κ, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
Αερομεταφορές
Προδιαγραφές
Κατηγορία:
Διακριτά προϊόντα ημιαγωγών
Τρανζίστορες
FETs, MOSFETs
Ραδιοσυχνότητες FET, MOSFET
Κατάσταση του προϊόντος:
Ενεργός
Τεχνική διάταξη:
84 Β
Πακέτο:
Τραπέζι
Σειρά:
GaN
Πακέτο συσκευής του προμηθευτή:
Να πεθάνεις.
Τάση - δοκιμή:
28 V
Δρ.:
Γουόλφσπιντ, Inc.
Συχνότητα:
8GHz
Κέρδος:
12dB
Πακέτο / Κουτί:
Να πεθάνεις.
Δύναμη - Απόδοση:
120W
Τεχνολογία:
HEMT
Διορισμός ρεύματος (άμπερες):
28A
Αριθμός βασικού προϊόντος:
CG2H80120
Εισαγωγή
RF Mosfet 28 V 8GHz 12dB 120W Θάνατος
Στείλετε το RFQ
Αποθέματα:
In Stock
Τροποποιημένο: